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BiVO_4是一种窄带隙的半导体材料,具有可见光响应性,但其光生电子-空穴对容易在其表面复合,量子效率低,导致光催化去除污染物效果不佳。近几年发现的一维碳纳米管(CNT)和二维石墨烯(GR)两种碳材料具有多项出众的性能,其高导电性、高载流子迁移率和极大的比表面积,特别适合作为光催化剂的载体。该论文在综合分析现有的光催化剂及其改性技术基础上,提出分别用碳纳米管、石墨烯两种碳材料改性修饰BiVO_4,通过掺杂碳材料、对形貌和复合方式进行调控,从而降低电子-空穴复合率,提高光催化剂的量子效率,达到提高污染