【摘 要】
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随着激光技术的发展和基于近红外波段光子探测技术的需求，提高硅基APD(雪崩光电二极管)近红外敏感探测效率，尤其是1064nm处的探测效率变的尤为迫切。本文主要针对的是Si基SACM(
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随着激光技术的发展和基于近红外波段光子探测技术的需求，提高硅基APD(雪崩光电二极管)近红外敏感探测效率，尤其是1064nm处的探测效率变的尤为迫切。本文主要针对的是Si基SACM(吸收场控倍增分离结构)结构APD近红外敏感探测效率提高的研究。基于S掺杂技术的前提，首先根据对称性分析了掺S后Si原子集团的结构，对该原子集团进行了模拟。在此基础上对掺S后材料的吸收特性改变的机制进行了分析，推导了不同掺杂浓度下Si的费米能级。其次仿照S掺杂技术对SACM结构的p-n结进行了优化，用Silvaco软件对器件的结构、结深、反偏电流和反偏击穿电压做了仿真模拟，得出了不同掺杂浓度下器件p-n结的不同深度。实现了在较低的反偏电压下诱发雪崩。最后对APD器件各层的厚度进行了优化，计算了各层对光子探测效率的影响，得到了对Si基APD近红外尤其是1064nm处的量子效率改善的方案。
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