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本课题采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）技术，以SiH4、CH4和H2为反应气体，在单晶硅和石英衬底上制备a-Si:H/a-SiC:H多层薄膜，并采用高温热退火工艺获得nc-Si:H/a-SiC:H多层结构。利用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、Raman散射光谱、傅里叶红外吸收谱(FT-IR)等测试手段，对a-Si:H(nc-Si:H)/a-SiC:H多层薄膜样品的微结构进行了表征，同时对其光学和电学特性进行了实验研究。结果表明，本实验条件下制备的多层薄膜样品具有良