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目的:通过检测脑白质损伤的新生大鼠CLIC4表达水平变化,探讨氙气对脑白质损伤的神经保护作用,为临床应用氙气治疗新生儿脑损伤提供理论基础和实验依据。方法:制作新生大鼠脑白质损伤模型:选取生后48-72小时的SD新生大鼠144只,随机分为生理盐水(NS)组(空白对照组)(n=24)、脂多糖(LPS)组(n=24)、缺氧缺血(HI)组(n=24)、脂多糖+缺氧缺血(LPS+HI)组(脑损伤对照组)(n=24),LPS组仅给予腹腔注射LPS 0.05mg/kg,HI组分离结扎右侧颈总动脉以及置于8%的氮氧混合气中1小时进行缺氧缺血处理,LPS+HI组给予腹腔注射LPS 0.05mg/kg,3小时后进行缺氧缺血处理,建立脑白质损伤模型。NS组仅给予腹腔注射等量生理盐水,不结扎不低氧处理。氙气干预处理:通过脂多糖联合缺氧缺血建立脑白质损伤模型后,根据50%氙气吸入开始时间分为A组(缺氧缺血后即刻)(n=24)、B组(缺氧缺血后2小时)(n=24),进行氙气吸入3小时。各组分别于干预处理后0小时、24小时、48小时、72小时随机各选取6只进行甲醛灌注断头取脑,予苏木素-伊红染色(HE)观察病理变化,髓鞘碱性蛋白(MBP)免疫荧光染色,并通过RT-PCR检测脑组织中CLIC4mRNA水平变化。结果:1.NS组、HI组、LPS组脑白质染色清晰,结构正常;LPS+HI组新生大鼠脑组织HE染色可见脑白质染色淡、结构疏松;神经纤维走向紊乱,神经细胞染色加深,体积缩小,核仁变小,突起减少;胶质细胞数量增多,可见细胞核固缩、胞浆疏松、细胞皱缩等凋亡改变。氙气干预组新生大鼠脑白质细胞排列紊乱,可见部分核固缩,但较LPS+HI组减轻。2.脑组织免疫荧光染色,在72小时,NS组、HI组和LPS组脑组织可见大量MBP阳性细胞;LPS+HI组MBP阳性细胞数较NS组明显减少。氙气干预组MBP阳性细胞较NS组减少、较LPS+HI组增多。3.脑损伤对照组及氙气干预组CLIC4mRNA的表达水平高于空白对照组,差异有统计学意义(P<0.05),表明损伤后脑组织中CLIC4mRNA的表达水平升高;但氙气干预组CLIC4mRNA的表达水平低于脑损伤对照组,差异有统计学意义(P<0.05)。24小时、48小时、72小时脑损伤对照组新生大鼠脑组织中CLIC4mRNA表达水平较空白对照组升高,氙气干预组新生大鼠脑组织CLIC4mRNA表达水平在24小时、48小时、72小时较脑损伤对照组下降,差异均有统计学意义(P<0.05)。但同日龄新生大鼠氙气干预亚组中,A组与B组新生大鼠脑组织中CLIC4mRNA表达水平无明显变化,差异无统计学意义(P>0.05),表明CLIC4mRNA表达水平的高低与进行氙气干预的时间点无关。结论:1.腹腔注射LPS可与缺氧缺血共同作用,导致新生大鼠脑白质损伤。2.脑白质损伤后可使脑组织中CLIC4基因表达水平升高,说明CLIC4可引起神经细胞损伤。3.氙气干预能够下调CLIC4基因表达水平,提示氙气可能对中枢神经系统存在保护作用。4.CLIC4基因表达水平的高低与脑白质损伤后氙气干预的时间点无关,本研究中尚未发现进行氙气干预的最佳时间点,提示在脑损伤后2小时内应用氙气均可发挥其神经保护作用。