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随着可再生清洁能源的出现以及在便携式电子设备中的应用,用来储存电能的能量缓冲器件变得越来越重要。通常的能量缓冲器件包括电池和电化学超级电容两种,前者充放电速度慢,后者充放电速度快,但功率密度无法进一步提高,而且尺寸也很难缩小。作为其候选者,静电电容虽然存储容量有限,但是相对于电化学超级电容却有着极高的功率密度,而且尺寸易于缩小,因此具有很好的发展前景。本文以三维静电电容结构为指导思想,采用Pt纳米颗粒催化刻蚀硅的方法,研究了各种实验条件对在单晶硅中形成柱状硅纳米孔阵列特性的影响,并以此纳米孔阵列为模