本文首先研究了线性、对称陀螺和非对称陀螺冷分子在静电场中的能级移动、相应量子态的躲避交叉、取向几率分布(OPD)等；然后在此基础上开展了基于外电场取向的IC1母体分子通过光子解离来获得零速附近的低速I原子、并利用静磁场加以囚禁的理论研究。在强电场下,微扰理论已不适合。因此,文中对分子在静电场的能级移动和OPD的计算是采用矩阵方法进行的。通过选用适当的基矢,构建分子哈密顿量矩阵,并将其对角化来求解。基于分子在外电场中的取向几率分布函数(OPDF),本文开展了光子解离母体IC1分子来获得零速附近的低速Ⅰ原子的理论研究。通过对母体分子光子解离动力学过程的数值模拟,我们研究了碘原子的速度分布和产率与取向电场强度之间的关系。研究表明,对于转动温度为～1K的IC1母体分子束,在取向电场强度为-200kV/cm时,光解离后低速碘原子的产率会比没有外场取向的情况提高～5倍；其中速度低于10m/s的碘原子产率为～0.5%o。利用一对导电的环形永久磁铁,可以方便的实现IC1母体分子的外电场取向以及所产生的低速Ⅰ原子的静磁囚禁。我们计算了相应的空间电场和磁场的分布,并模拟了所产生的Ⅰ原子在磁阱中的运动轨迹。研究表明,在取向电场强度为～100kV/cm时,光子解离后产生的碘原子在深度为～0.28T的磁阱中(最大囚禁碘原子速度为～7.0m/s)的囚禁数目比率为～5×10-5。