磁控溅射制备氮化钛薄膜及其结构与导电性能的研究

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【摘要】

：

本文采用直流反应磁控溅射法在P型Si(111)基底上制备TiN_x薄膜。在反应溅射镀膜过程中影响薄膜结构与性能的因素很多,如溅射电流、气体流量、溅射总气压、基底温度和基底偏压等。本文分别研究了溅射电流、氮气流量、溅射总气压和基底温度对TiN_x薄膜组分、结晶取向、表面形貌以及导电性能的影响,探索出制备导电性能良好的TiN_x薄膜的工艺参数。用X射线衍射(XRD)分析样品的物相,原子力显微镜(AFM

【作者】

：

蒋雅雅

【机构】

：

南昌大学

【发表日期】

：

2008年06期

【关键词】

：

反应磁控溅射 TiN_x薄膜表面形貌电阻率

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