MOCCII及其高频非理想特性研究

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本文在参阅了大量相关学术资料,总结了基于电流传输器和多端输出第二代电流传输器的发展概况,借鉴了前人在相关方向的研究成果并基于CC器件的发展及国内外学者研究的实际情况,从扩展CC器件的带宽入手,采用各种可行的方法来提高MOCCII的频率特性,大量仿真结果以及Tapeout结果验证了研究的合理性和正确性。本文的主要创新性工作如下:1)对于电流传输端,为了提高高频特性,提出了采用在从X端传输到Z端的电流镜中加一个可调电阻的方法。电流镜中加入可调电阻,就使得电流镜的传输函数由一阶系统变成为可调极点的二阶系统,调节电阻大小,使得极点远离S域平面的原点,从而提高电流镜的频带宽度。2)对于电压传输端,为了提高它的电压跟随性能、改善高频非理想特性,提出了如下三种新的MOCCII高频补偿方法,PSPICE和HSPICE仿真结果表明,这三种方法都有很好的补偿效果:I.采用源极电容耦合放大器的方法,即SCCA(Source Capacitively Coupled Amplifier)的方法。这种方法的主要思想是:把没有经过补偿的原从Y到X的电压传输视为低频传输,然后增加的SCCA视为一个频率相对较高的带通传输,那么,叠加的传输曲线就是一个频率特性得到改善的曲线。II.基于多正切曲线原理的并行差分对补偿法。这种方法的思想是:基于多正切曲线原理,对于MOCCII的Y端到X端之间的电压关系直接采用极点拉伸法,即在MOCCII的Y、X端再并联多个差分对管,使得X端与Y端电压传递函数的极点远离原点,从而改善电压传输特性。III.也是采用在电流镜中加一个可调电阻方法。但是,它采取的是在从Y端传输到X端的电流镜中加一个可调电阻的方法。3)在国内的CC集成器件的研究中,首次单独对经过高频补偿的MOCCII模块进行流片,并计划在芯片流出后对它的性能进行详细的测试。这次研究,硬件部分参与了上海集成电路设计中心的MPW,采取的工艺是华润上华的CSMC 0.6um Mixed mode工艺,采用的是2 Poly 2 Metal,I/O Voltage和Core Voltage都是5V。流片前对MOCCII IC的版图进行了详细的设计,计划拿到样片后对流片后的IC作详细的性能测试。
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