IGBT的全称是Insulate Gate Bipolar Transistor,即绝缘栅双极晶体管,是近年来迅速发展起来的新型半导体器件。它不但具有MOSFET开关速度快,输入阻抗高,热稳定性好,所需驱动功率小而且驱动电路简单的优点,还兼有GTR阻断电压高,载流能力强的优点,极大的扩展了半导体器件的功率应用领域。被称为最具发展前景的电力半导体器件之一。本文介绍了在IGBT二三十年的发展过程中所面临的现状和未来的发展动向。从IGBT的工作原理出发,探讨了器件结构参数对器件特性的影响,总结了主要参数的设计依据,并据此进行了IGBT器件结构设计和计算机模拟。主要是IGBT器件的开通和关断特性的理论研究和计算机软件模拟分析(利用medici软件)。对IGBT的特性进行了计算机仿真分析。主要包括IGBT的基本结构、杂质分布、势能分布,输出特性、转移特性、阻断特性等电学特性,并对模拟结果进行了分析。利用MEDICI软件进行分析仿真的关键是首先要明确MEDICI的仿真原理和物理模型的选择。本文主要采用经典模拟,即漂移-扩散模型模拟,并在此基础上,选择适当的物理模型来进行分析仿真,以确保模型的精确性和收敛性,从而获得模拟与实际很好符合的结果。