电力电子器件在电网的直流输电、新能源发电并网、电动汽车充电等领域得到广泛运用。目前，在特高压直流中已经开始使用压包式IGBT，但其故障过程与机理尚有待研究。　　在分析了压包式IGBT结构的基础上，本文利用COMSOL Multiphysics对其失效过程中的电场、温度场与机械应力场进行了计算，进而讨论了可能出现的故障情况。　　本文针对三种故障案例进行了计算，具体包括:　　1)IGBT在较大的电流发热及热胀冷缩的情况下的机械应力故障。通过计算该工况下IGBT中的电场分布、温度分布和机械应力，揭示了机械应力集中的位置，指示了设计中的薄弱环节与失效机理。　　2)界面气泡导致的局部放电。针对IGBT中硅芯片层和聚酰亚胺绝缘层之间存在微小气泡的情况，计算了不同电压下电场集中情况，并分析了制造工艺对IGBT可靠性的影响。　　3)接触不良。针对IGBT不同层间局部接触不良的情况，计算了对应的电场分布，分析了电流集中导致故障的过程与机理。　　通过上述研究，本文揭示了压包式IGBT中常见故障的机理与发展过程，分析了不同因素对其影响。