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随着科技的发展,电子器件特别是平板显示朝着轻薄化方向发展,柔性衬底透明导电薄膜因其具有重量轻,可变形,不易碎等优点,已成为目前国际上研究的一大热点。众所周知,ITO作为透明导电膜已成功地运用在光电子器件中长达五十多年,但是由于其柔性性能很差,完全不适合作为制备柔性透明导电薄膜材料。纳米银线(AgNW)透明导电薄膜因其具有最好的导电性、透过率和优异的弯折性,是最有潜力替代ITO的材料。因而本论文主要研究纳米银线柔性透明导电薄膜的制备方法和性能,其内容如下：1.本文首先采用真空抽滤的方法,在一种混合纤维素(MCE)膜上制备了纳米银线薄膜,然后用丙酮把MCE膜溶解掉后将AgNW分别转移在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯醇(PVA)和聚二甲基硅氧烷(PDMS)基底上。通过转移的方法可以选择不同的基底从而很好地克服了柔性基底一般耐高温性能不好的缺陷。除此之外,由于MCE膜本身在丙酮蒸汽环境中放置一段时间后变得透明且无孔,所以可以直接采用MCE作基底,从而省去了转移的步骤,使得柔性透明导电纳米银线薄膜的制备更为简单。2.对在不同基底上制备的柔性透明AgNWs导电薄膜的导电性能、透光性能、柔性性能和与基底的粘附性能进行了研究。研究表明：以透明MCE为基底的AgNWs具有最好的光电性能,制备得到透过为85%左右,方阻为50Ω/(?)的AgNWs-MCE膜；AgNWs-MCE和AgNWs-PVA两种薄膜银线与基底的粘附力非常出色,在经过胶带和摩擦测试后,薄膜的方阻变化甚微。3.通过增加粘附层、溶解基底表面和添加保护层三种方法对与基底粘附力差的AgNWs-PET膜进行了改进。改进后的AgNWs-PET膜的粘附力得到了显著的提高,其中增加粘附层的方法改善最为有效。4.通过激光刻蚀的方法实现对AgNWs-PVA膜的图形化,并将图形化后AgNWs-PVA膜电路成功地用于制备透明柔性LED显示电路中。