充压法氦质谱检漏的器件漏率双值求解和粗、细检漏的可靠衔接

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随着微电子技术的发展,电子产品的集成度日益增大,速度越来越快,功率增大,I/0数逐渐增多,对封装提出了更高的要求,封装的密性性直接影响了IC芯片制造的合格和可靠,直接影响微电子器件的高频性能、热性能、可靠性和成本。氦质谱析漏是电子界较常用的无损检漏方法。但是其双值特性对捡漏结果的影响,一直以来没有得到很好解决。为了能正确的进行电子元器件的密封性筛选试验工作,并能解决实验工作中遇到的问题,预测密封性筛选在元器件可靠性上所能达到的效果,掌握电子元器件封装中漏孔的特性,以及他们漏率的统计分布规律是很重要的。本文证明国内外至今通用的充压法氦析分子流计算公式存在着“双值特性”,即器件每个测量漏率对应于两个不通大小的实际漏率,通过计算机编程求解或查表计算求出两个实际漏率。将研究结果用于微电子器件的氦析中,可较好的解决粗,细析漏的可靠衔接。
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