【摘 要】
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宽禁带半导体材料由于其独特的性质和广泛的应用潜力已经成为当今最热门的材料之一,其中β-Ga_2O_3晶体作为第四代宽禁带半导体材料已经展示出了可以应用在许多领域的优异性能,主要应用领域包括:高温气敏器件、深紫外光电器件和超高压功率器件。为了能够生长出质量较高、载流子浓度可控的n型和p型β-Ga_2O_3晶体,掺杂成为了一个重要的手段。经过多年研究,已经成功制备了n型半导体,并且可以实现载流子浓度在
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宽禁带半导体材料由于其独特的性质和广泛的应用潜力已经成为当今最热门的材料之一,其中β-Ga_2O_3晶体作为第四代宽禁带半导体材料已经展示出了可以应用在许多领域的优异性能,主要应用领域包括:高温气敏器件、深紫外光电器件和超高压功率器件。为了能够生长出质量较高、载流子浓度可控的n型和p型β-Ga_2O_3晶体,掺杂成为了一个重要的手段。经过多年研究,已经成功制备了n型半导体,并且可以实现载流子浓度在一定程度上的调控,然而p型半导体的制备仍是一大难题,这也在一定程度上制约着β-Ga_2O_3基半导体器件
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