白光LED因其体积小、寿命长、发光效率高、节能环保等优点被广泛的用于日常生活中。传统的白光LED是以蓝光芯片激发黄色荧光粉来获得白光，这种方法获得的白光具有较高的色温和较低的显色指数，并且由于蓝光芯片的影响，该光源长时间照射会造成人体视网膜损伤。因此，探索出适用于近紫外LED芯片激发的高效率、高色纯度、低色温的荧光粉具有重要的研究意义。　　在本文中，我们以KSrY(BO3)2为基质材料，通过固相法制备了三种稀土离子（Sm3+、Eu3+、Dy3+）掺杂的KSrY(BO3)2基荧光粉，并使用X射线衍射分析、紫外可见吸收光谱分析、荧光光谱分析等对样品进行了测试表征。主要的研究如下：　　（1）探索荧光粉的最佳制备工艺条件。使预煅烧温度（500℃）和保温时间（5h）保持不变，在不同的煅烧温度（750℃，800℃，850℃，900℃）和保温时间（6h，8h，10h）下制备KSrY(BO3)2:0.03Sm3+荧光粉，通过对得到的样品进行XRD及荧光光谱分析，得到该荧光粉的最佳煅烧温度为850℃，保温时间为8h。对KSrY(BO3)2进行Rietveld结构精修，发现晶体结构属于空间群为P21/m的单斜晶系。通过第一性原理模拟计算KSrY(BO3)2的电子结构，得到其为直接带隙半导体，并且这一结论通过紫外可见吸收光谱得到了验证。　　（2）研究Sm3+离子掺杂量对KSrY(BO3)2:Sm3+荧光粉发光性能的影响。通过分析荧光粉的激发-发射光谱，发现Sm3+离子的最佳掺杂浓度为0.01，在此之后由于离子间的偶极-偶极相互作用产生浓度猝灭效应。通过CIE分析，发现所有样品的色度坐标都位于橙光区域，色纯度都达到了90%以上，且相关色温都低于3000K。通过J-O理论计算了KSrY(BO3)2:0.01Sm3+荧光粉的相关参数，如辐射跃迁几率（AR）、跃迁振子强度（f）、谱线强度参数（Ωλ）、荧光分支比（β）及量子效率（η）等，发现Sm3+离子在晶格中可能占据了具有较高对称性的位点，并且与O2-离子之间以共价键的方式键合。　　（3）研究Eu3+离子掺杂量对KSrY(BO3)2:Eu3+荧光粉发光性能的影响。通过荧光光谱分析得到，在近紫外光激发下荧光粉中Eu3+离子掺杂浓度为0.40时发光强度最大，之后由于离子间的多极相互作用发生浓度猝灭。通过分析荧光发射光谱中5D0→7F1和5D0→7F2跃迁的相对强度关系，发现Eu3+离子位点周围的对称性随掺杂浓度的增加而有所降低，然后通过J-O理论分析得到Eu3+离子过多的掺入会降低位点对称性。通过增加Eu3+离子掺杂浓度，可以使荧光粉样品的CIE色坐标从橙红光区域向红光区域移动，并且所有样品的色纯度都达到96%以上，相关色温都低于3000K。此外，KSrY(BO3)2:0.40Eu3+荧光粉的量子效率高达81.38%。　　（4）研究Dy3+离子掺杂量对KSrY(BO3)2:Dy3+荧光粉发光性能的影响。在近紫外光351nm波长的激发下，发射光谱显示出4F9/2→6H15/2和4F9/2→6H13/2的辐射跃迁。通过调节Dy3+离子掺杂浓度可以改变两个跃迁的强度比，使得荧光粉实现白光发射。当掺杂浓度超过0.05时，荧光粉由于Dy3+离子之间偶极-偶极相互作用的能量传递而发生浓度猝灭现象。Dy3+离子掺杂浓度为0.05时，荧光粉的色度坐标位于（0.3097，0.3161），接近标准白光，并且其色纯度为76.85%，相关色温为5908.38K。