【摘 要】
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钛酸锶钡(Ba_(1-x)Sr_xTiO_3或BST)以其高介电常数、低损耗，介电响应快、疲劳强度大等优点，在下一代动态随机存储器(DRAM)上的应用前景非常广阔，是近年来人们研究的热点。虽然在这方面的工作已取得可喜的进展，但要使其成功地应用于DRAM器件上，仍有很多问题有待进一步解决，如较高的漏电流现象。数据一旦被写进DRAM，每个小电容上电荷的存储时间就必须大于DRAM的刷新脉冲时间，如果由于
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钛酸锶钡(Ba_(1-x)Sr_xTiO_3或BST)以其高介电常数、低损耗，介电响应快、疲劳强度大等优点，在下一代动态随机存储器(DRAM)上的应用前景非常广阔，是近年来人们研究的热点。虽然在这方面的工作已取得可喜的进展，但要使其成功地应用于DRAM器件上，仍有很多问题有待进一步解决，如较高的漏电流现象。数据一旦被写进DRAM，每个小电容上电荷的存储时间就必须大于DRAM的刷新脉冲时间，如果由于漏电流致使存储的电荷丢失，就会导致数据读取的误操作。所以有必要降低漏电流以增加读取数据的可靠性。因此，漏
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