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忆阻器是一种有记忆功能的非线性电阻。通过控制电流的变化可改变其阻值,如果把高阻值定义为“1”,低阻值定义为“0”,则这种电阻就可以实现存储数据的功能。实际上忆阻器就是一个有记忆功能的非线性电阻器。2008年5月,惠普实验室的研究人员在《自然》杂志上发表文章证实,忆阻器在纳米级电子系统中确实存在。这种电阻能够通过施加不同的电压来改变其阻值。利用其不同的阻值来代表不同的数字信号,在半导体电路中就可以实现数据存储的功能。本文在综述了国内外忆阻器研究概况的基础上,阐述了忆阻器的结构设