【摘 要】
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1．用磁控溅射系统，共溅射Si和SiO再退火来制备纳米硅晶体。拉曼(Raman)光谱和透射电子显微镜(TEM)照片证实了纳米硅晶体的存在。又研究了不同条件下制备的纳米硅晶体的光致发光
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1．用磁控溅射系统，共溅射Si和SiO<,2>再退火来制备纳米硅晶体。拉曼(Raman)光谱和透射电子显微镜(TEM)照片证实了纳米硅晶体的存在。又研究了不同条件下制备的纳米硅晶体的光致发光(PL)谱。研究表明不同Si和SiO<,2>的组分比和不同的退火条件对纳米硅的光致发光有很大的影响。
2．对双层纳米硅晶体的样品，进行电容-电压(C-V)测试。结果表明，一个来回的扫描曲线，存在电滞回线现象。不同的扫描电压和扫描频率下，回滞现象都存在。我们认为电滞回线的产生主要原因是在扫描过程中，电荷被注入到纳米硅晶体中去，有一个电荷的充放电过程。而正是薄膜中的存在移动电荷，导致了整个来回的扫描曲线中存在回滞。
3．利用静电力显微镜(EFM)研究了局部区域的纳米硅晶体的充放电过程。通过对两个不同结构(单层纳米硅晶体和双层纳米硅晶体)的样品的EFM图像比较，发现两者充入电荷的衰减时间常数有明显差异。进一步分析表明，在垂直样品表面的方向上，电荷也存在着扩散。
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