SnS2基复合材料可控制备及其光催化还原Cr(Ⅵ)性能

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六价铬由于其高毒性和高迁移率,被列入优先污染物清单,可见光驱动的半导体光催化还原六价铬水溶液具有操作简便,环保,廉价,效率高,可重复使用,可直接使用无限,清洁,安全的天然太阳能等明显优势,因此,半导体光催化还原法是处理Cr(VI)水溶液的一种有效的方法。半导体金属硫化物SnS2的可见光响应强,但因光腐蚀,SnS2作为光催化剂不稳定,并且SnS2的光生电子和空穴很容易彼此重组,导致光催化性能差并限制其实际应用。本论文研究内容如下:本文使用水热法在反应釜中成功制备了SnS2,并以SnS2为基底,通过水热法制备了不同NiAl-LDH添加量的复合材料NiAl-LDH/SnS2。通过表征考察了NiAl-LDH添加量对复合材料NiAl-LDH/SnS2的光催化性能的影响。在pH=3下以六价铬还原为三价铬为探针反应,考察了复合材料NiAl-LDH/SnS2的光催化性能和稳定性能。根据实验结果可知,当NiAl-LDH的添加量为0.02g时,NiAl-LDH/SnS2(0.02)的光催化性能最佳和稳定性能较好。以SnS2为基底,使用水热法在反应釜中成功制备了不同NiFe-LDH添加量的复合材料NiFe-LDH/SnS2。通过实验表征考察了NiFe-LDH添加量对复合材料NiFe-LDH/SnS2的光催化性能的影响。在pH=3下以六价铬还原为三价铬为探针反应,考察了复合材料NiFe-LDH/SnS2的光催化性能和稳定性能。根据实验结果可知,当NiFe-LDH的添加量为0.02g时,NiFe-LDH/SnS2(0.02)的光催化效率高达99.72%,并具有较好的稳定性能。以SnS2为基底,通过水热法在反应釜中成功制备了不同g-C3N4添加量的复合材料g-C3N4/SnS2。通过实验表征考察了g-C3N4添加量对复合材料g-C3N4/SnS2的光催化性能的影响。在pH=3下以六价铬还原为三价铬为探针反应,考察了复合材料g-C3N4/SnS2的光催化性能和稳定性能。根据实验结果可知,当g-C3N4的添加量为0.07g时,g-C3N4/SnS2(0.07)的光催化效率高达100%,并且具有较好的稳定性能。
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