近年来，大量制造的NTC热敏电阻已经在各种电子和电器/设备中得到了大量研究和广泛应用，其用途常用于过热保护和控制温度等。但是，在高度集成的微电路中，大量门电路的瞬间翻转和消失会导致较大的涌入电流，从而瞬间引起负载电流较小的微电元件的热烧毁，这是块体热敏电阻无法解决的问题。因此，开发一些新型NTC热敏薄膜器件就显得尤为重要。　　本文在前人研究基础上，通过添加过渡金属氧化物Co、Cu、Zn，研究制备出几种新型无铅NTC热敏靶材：BaMeⅡxBi1-xO3 (Me=Co,Cu,Zn)。并通过射频磁控溅射技术研究衬底温度以及薄膜厚度对于BaBiO3基薄膜结构以及热敏性能的影响，得出以下结论：　　(1) 通过XRD发现：Co离子扩散到BaBiO3晶格中形成单斜钙钛矿结构的固溶体。所有薄膜都表现出良好的负温度系数（NTC）热敏电阻特性。在200℃生长的BaCo0.1Bi0.9O3薄膜中，得到了最佳的NTC特性 (B25/85=2730 K)，其中室温电阻率ρ25为345.6Ω·cm。BaCo0.1Bi0.9O3薄膜的晶粒和晶界也表现出典型的NTC热敏电阻行为。当衬底温度为200℃，随着薄膜厚度的增加，其薄膜热敏性能趋于稳定。　　(2) 在衬底温度为200℃生长的BaCu0.08 Bi0.92O3薄膜中表现出最佳的NTC特性。相应的室温电阻率（ρ25）为956.7Ω·cm (B25/85~3480 K)，明显低于纯BaBiO3薄膜（1548.0Ω·cm ；B25/85~3245 K）。沉积4 h后，薄膜在相同衬底温度下（200℃）表现出最佳的热稳定性。　　（3）添加过渡元素Zn的BaBiO3热敏薄膜体系中：在相同的基板温度（200℃）对于BaBiO3薄膜，室温电阻率（ρ25）为 ~1548Ω·cm（B25/85~3245K），而对于沉积BaZn0.06Bi0.94O3薄膜中的ρ25值下降至约1156Ω·cm（B25/85~3183K）。当衬底温度不变，薄膜室温电阻随着厚度的增加而随之减少，且薄膜的热敏常数趋于稳定（B25/85~3200K)。　　总之，在适当的衬底温度和一定的溅射时间下沉积的BaMeⅡxBi1-xO3 (Me=Co, Cu, Zn)薄膜是一种性能优良的新型NTC热敏薄膜，并且具有广泛的应用前景。