Si基L波段下变频器研究

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L波段是现代移动设备所使用的主要频段之一,L波段接收机在军事与民用通信领域应用广泛,尤其是近些年,移动通信领域发展十分迅速,产品需求量也十分大,因此对L波段设备的研究具有深远的社会意义和极大的经济价值。随着移动通信的发展,对移动设备的性能要求也在不断提高,常用的接收机机构中,外差式接收机因为其良好的接收性能在实际的应用中非常广泛,这也吸引了广大的学术人员与设计者对其进行更加深入的研究。其中一个研究的重点就是对镜像频率的抑制,实现这一功能的关键器件就是镜频抑制混频器,其性能对接收机整体性能影响非常大。本文主要是对基于CMOS工艺的混频器进行研究。首先简单的介绍了CMOS混频器的发展动态,阐述了其发展过程以及今后的发展方向;然后对实现镜频抑制的结构进行了一定对比,分析了常用的Gilbert混频器的各项技术指标,以及一些改进结构。在此基础上设计了一种可以实现5V-3.3V转换,输出电流能力超过100mA的直流源;对传统的Gilbert混频器进行了一定的改动,设计了一种可以单端输入并且不使用电桥的混频单元。根据课题的要求,设计了一种高线性度且无电感结构的的镜频抑制混频器,该混频器主要由混频单元、本振链路、输出缓冲放大器以及直流电源组成。仿真使用Cadence ic 5141软件,并使用Calibre进行提取后防,前仿与后仿结果满足设计要求,混频器设计使用TSMC 0.35?m SiGe 3p4m工艺库进行设计并流片。
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