低维Cu<,2>S纳米材料是一种新型的场发射冷阴极材料，在场发射显示器方面有应用前景。研究Cu<,2>S纳米材料的可控生长具有重要意义。 本论文采用气一固相反应法制备单斜结构Cu<,2>S纳米结构。通过对Cu衬底的预氧化处理，可控制备出了Cu<,2>S纳米线和纳米梳。对它们的形貌和结构进行了详细表征，确定了纳米线和纳米梳的主干都沿c轴方向生长，而纳米梳的分支沿b轴方向生长。通过对Cu<,2>S纳米线不同部位O元素含量的分析，确认了其生长位置位于纳米线的顶端。同时，我们还探讨了包裹在Cu<,2>S纳米线外面的氧化层的来源。为了研究Cu<,2>S纳米线生长过程中Cu元素的传输方式，本论文进一步研究了外加电场下的Cu<,2>S纳米线生长规律。研究结果表明外加电场的极性能够影响Cu<,2>S纳米线的生长，从而证实了Cu<,2>S纳米线生长过程中Cu元素以Cu<+>形式传输的假设。在此基础上本文提出了一个较为完整的Cu<,2>S纳米线的生长机制。本文还研究了Cu<,2>S纳米线的场致电子发射特性和结构稳定性，发现了在低真空环境中CuM<,2>S纳米线的相变温度有所降低。