目前,能源危机已经席卷全球,而光伏产业,作为新能源中非常有前景的一个发展方向,已经受到了各个层面的广泛重视。其中,与已经大范围使用的晶硅类电池相比,薄膜光伏材料在吸收效率和应用场景上都具有着不可比拟的优势,是目前国际上的热门的研究领域。本课题主要研究铜铋硫和铜铋硒这两种新型材料的制备与性能。按理论计算,铜铋硫与铜铋硒均拥有合适的能带宽度,较高的空穴浓度以及很高的光吸收率,是非常具有潜力的材料,可以应用至超薄光伏器件领域。本文主要对于铜铋硫和铜铋硒半导体光伏薄膜的制备过程和相关测试结果进行了研究和分析,并且通过对于生长参数的优化调整,给出了这两种光伏薄膜材料的优化生长方法。本文主要应用两步法作为制备薄膜材料的主要方法,即先蒸镀预制层,然后退火处理的方法。对于薄膜性质的优化探讨,主要集中于以下几个方面:表面形貌、晶相结构、电学性质以及光学性质。研究发现,铜铋硫薄膜对于制备条件有着较高的容忍度。在生成晶相的控制上,对于原料中的原子比的选择比较宽泛,这大大降低了薄膜在制备过程中的难度。在适宜的退火温度下,很容易制备得到表面均匀的铜铋硫薄膜。而为了得到高质量的铜铋硒薄膜,则需要比较苛刻的制备条件。根据测试结果,优化后的铜铋硫与铜铋硒薄膜均为P型半导体,拥有良好的电学性能,已达到了太阳能电池的水平;并且有着很高的吸收率,在超薄光伏器件领域,拥有着良好的发展前景。