随着集成电路的不断发展,微处理器的频率和I/O带宽需求不断提高,需要数据传输速率更高的存储芯片来满足处理器访存的需求。在军用处理器和宇航电子系统中广泛采用的SRAM存储器也面临着传输速率不足的瓶颈。QDR SRAM是一种新型存储器,较好地解决了静态大容量存储器的存取速率瓶颈问题,具有广泛的研究与应用价值;而存储器与外部控制器的物理接口是对存储体进行正确访存的必要保证。论文对四字突发QDR SRAM的物理传输层进行了研究,具有较高的理论与实践意义。本论文完成的主要工作及创新点如下:1、本课题针对一款四字突发72Mb×36bit QDRII+SRAM存储器,深入研究了其读写原理以及相关的接口协议,并论述了一种接口物理层通路模块的实现方案,将物理接口PHY划分为时钟与复位管理模块、写数据通路、地址与命令发送模块、延时校准模块、读数据通路模块,并进行了逻辑设计与验证工作。2、本设计采用了一种延时校准机制并配合可变延时单元电路对读数据进行相位校准,保证了数据采集的可靠性;延时单元采用定制流程设计,采用独特的抗电源噪声以及倒比管设计使得一级延时单元能够达到70ps左右的延时。3、对所完成的模块进行了物理实现与IP封装工作。物理设计过程中采用网格状时钟树结构,减小了数据总线到达的时间偏差,提高了数据采集的可靠性;对模块进行IP封装工作,使得该模块可以方便的应用于SOC设计中,具有可复用可移植的优点。本文完成的一种四字突发QDRII+SRAM的物理传输层模块,时钟频率为500MHz,借助了定制的可变延时单元电路以及相应的延时校准机制,从而提高了高速数据采集的可靠性。在基于40nm工艺制程下完成版图物理设计之后,模块的整体大小为350um×640um,静态分析总功耗为18.24mW,具有模块面积小、功耗低的优点,该模块可作为IP集成到ASIC芯片设计中,具有一定的应用价值。