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目前量子点已在LED,太阳能电池,生物标记,激光器与传感器中得到广泛应用。制备绿色、环保、高效量子点一直是量子点领域的主要目标,而InP量子点材料作为Ⅲ-Ⅴ半导体材料的代表具有极大的研究意义。对于蓝光InP量子点,为了有效的限制电子于核心中,我们以ZnS为壳层包覆InP核心,得到468 nm蓝光量子点,在第一层ZnS包覆过程中,未反应的硬脂酸锌会阻碍电子和空穴的注入。通过加入过量的S-TOP与未反应的硬脂酸锌反应,可以使残留的硬脂酸锌完全反应。同时在InP/ZnS量子点表面包覆生成的ZnS单体,可增加壳层的厚度,降低量子点之间的能量传递。纯蓝色InP/ZnS量子点的QY可达45%,通过对量子点包覆SiO2明显增加量子点的稳定性。对于蓝光QLED,其EQE达到了 1.7%,达到了文献报道最高水平。对于绿光InP量子点,我们使用价格低廉的(DMA)3P作为P源,选择ZnMnS合金作为中间层来减少核心InP与壳层ZnS的晶格失配,MnS的带隙为3.7 eV,比绿光的InP量子点宽,这种壳层能有效地限制核心InP中的电子和空穴,形成了type-Ⅰ型结构的量子点。对于InP/ZnMnS/ZnS QDs,QY可达到80%。通过EDX元素分析,高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和X射线衍射(XRD)表征,结果表明,量子点中掺入了Mn2+,并用通过电感耦合等离子体质谱仪测定了Mn2+的掺入量(ICP-MS)。通过对量子点包覆SiO2明显增加量子点的稳定性,在蓝光辐照200小时后,效率只下降8%。最后,使用合成的绿光InP/ZnMnS/ZnS量子点,制备得到的QLED,EQE达到2.7%。对于近红外InP量子点,我们通过外延生长InP核心量子点的方法,首次合成了大尺寸InP(15nm)近红外量子点(>750 nm)。首先我们通过探究温度对反应速率的影响,最终选择200℃进行外延生长InP核心,在外延2 h后,InP核心尺寸由初始阶段的5 nm增加至15 nm。最后通过将量子点进行配体交换,得到水溶性的量子点,实现在细胞成像上的应用。