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强度和导电性是导体金属材料的两个至关重要性能,但往往顾此失彼,不可兼得,为了有效提高集成电路中金属Cu连线材料的导电性和机械性能,本文系统地分析了直流磁控溅射工艺参数对Cu薄膜沉积在单晶Si基片上质量的影响,优化了溅射工艺参数,制备出了优质的纳米铜薄膜,并在此基础上开展了激光冲击纳米铜薄膜的实验研究,取得了以下几个方面的成果。薄膜的沉积速率随溅射功率的增加而线性增加;当溅射气压在0.3～0.5Pa时,随着溅射气压的增加,沉积速率随之增加,薄膜的成膜速率达到最大;之后随着溅射气压的增加,成膜速