【摘 要】
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为了解决半导体激光器在高温、高功率情况下工作时，出现的阈值电流升高，波长漂移，发光效率下降等问题，我们设计并制作了具有高特征温度的AlInGaAs／AlGaAs应变量子阱激光器。 首
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为了解决半导体激光器在高温、高功率情况下工作时，出现的阈值电流升高，波长漂移，发光效率下降等问题，我们设计并制作了具有高特征温度的AlInGaAs／AlGaAs应变量子阱激光器。 首先我们提出影响量子阱激光器特征温度的四个主要因素，并对其进行了理论分析。以AlInGaAs／AlGaAs为例研究了应变对提高激光器特征温度的优势。通过综合考虑各个因素，我们对AlInGaAs／AlGaAs激光器进行了优化设计，并成功制作出波长为808nm的器件。 最后对所做的器件用我们所设计的新的控温装置进行了温度特性实验，并对实验结果进行了分析。 分析得出波长为808nm的AlInGaAs／AlGaAs应变量子阱激光器的特征温度明显高于无应变的AlGaAs／AlGaAs激光器。并且在室温(20℃)下，AlInGaAs／AlGaAs应变量子阱激光器的特征温度高达200K，斜率效率为0.88W／A。
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