宽禁带半导体材料一般具有高的击穿电场、高的热导率、高的电子迁移率及更高的抗辐射能力，在压电、光电器件、液晶显示器、太阳能电池等领域有广泛的应用。本文对宽带隙半导体材料ZnO：Al（AZO）、氮化硅和CNT阴极薄膜的制备、结构特征及物理性能进行了系统的研究。主要研究如下：　　 （1）以锌铝的化合物（Zn（CH3COOH）2·2H2O和Al（NO3）3·9H2O）为前驱物，在载玻片衬底上制备了AZO薄膜，采用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上沉积了Al3+掺杂型ZnO薄膜。定量研究了掺杂量、溶液浓度、热处理温度对薄膜性能的影响，并对薄膜的电学特性和光学性能等进行了表征。实验结果表明：溶液浓度为8％，掺杂比为3％，热处理温度为450℃，热处理时间为：升温5分钟、保温15分钟，旋涂时低转速为1080r/min、时间为6s，高转速为4560r/min、时间为20s时，能获得电学性能和光学性能最佳的薄膜，其方阻值为：114KΩ/口，平均透过率为90％。　　 （2）采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统，以硅烷和氨气为气源，在不同射频（RF）功率、不同衬底温度和不同硅烷氨气流量比下制备了氮化硅薄膜。实验表明，当射频功率增大时，生成的氮化硅薄膜结构致密，钝化性能提高。射频功率与氮化硅薄膜折射率成正比，与腐蚀速率成反比。衬底温度对薄膜的腐蚀速率影响显著，最佳的衬底温度为250℃。硅烷氨气流量比对沉积速率影响不大，但在很大程度上决定了氮化硅薄膜的折射率。　　 （3）采用丝网印刷技术，以碳纳米管、松油醇和乙基纤维素为原料制备碳纳米管阴极。研究了玻璃粉和银浆对碳纳米管阴极发射特性的影响。结果表明，最佳烧结工艺可以使更多的碳纳米管露出表面而发射更多的电子；浆料中各种成分合适的配比也能提高阴极的场发射性能。