本文主要针对兰州大学D-T/D-D反应中子源中子产额监测的三种实验方法、理论问题和模拟设计进行了研究。建立了D-T/D-D中子产额监测的伴随粒子法实验测量系统。理论分析和数值计算相结合,研究了伴随粒子法D-T/D-D中子产额监测的数据处理方法,并给出了不同D束流能量下的数据修正各向异性因子。分别在D-T、D-D中子源上对伴随粒子法测量系统进行了调试,给出了D-T、D-D反应典型的伴随粒子谱。对影响测量精度的各因素进行了分析,给出了明确的结论。建立了D-T/D-D中子产额监测U-238裂变电离室测量系统,应用U-238自发衰变α粒子对系统进行了初步调试。在不同偏压下对α粒子能谱和α粒子计数进行了测量,给出了U-238裂变电离室坪曲线,确定了U-238裂变电离室测量系统最佳工作参数。对用于大面积旋转靶强流D-T反应中子源的反冲质子望远镜系统进行了Monte-Carlo模拟设计研究。首先采用MCNPX程序对14MeV单能中子在不同厚度聚乙烯膜上产生的反冲质子的产额、能谱及角分布进行了Monte-Carlo模拟研究,根据模拟结果,确定了反冲质子望远镜系统中聚乙烯膜的最佳厚度和探测器放置的最佳位置等重要参数。其次,根据厚氚钛靶(TiTx)D-T反应中子源的能谱和角分布数据,建立了D-T中子源模型,采用MCNPX程序模拟设计了反冲质子望远镜屏蔽准直器系统,确定了屏蔽准直器设计方案,并给出了准直中子束的能谱、注量率等重要参数。最后,根据已确定的聚乙烯膜的最佳厚度和探测器放置的最佳位置,设计了质子产生和质子探测器系统,应用MCNPX程序模拟得出了反冲质子的能谱和计数率,给出了反冲质子望远镜系统的探测效率。