【摘 要】
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ZnO是一种多功能宽禁带的半导体光电材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,不仅具有良好的导电特性和优良的光电特性,而且其内部还具有许多本征缺陷,可以发出多种颜色
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ZnO是一种多功能宽禁带的半导体光电材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,不仅具有良好的导电特性和优良的光电特性,而且其内部还具有许多本征缺陷,可以发出多种颜色的光,有望开发出多种颜色的发光器件,因此受到了国内外学者的广泛关注。电致发光器件是一种能将电能直接转换为光能的发光器件,具有响应速度快、功耗低、重量轻、成本低、器件结构简单、环保等优点,因而被广泛应用于平板显示和民用照明领域。本论文介绍了ZnO薄膜、Cu:ZnO薄膜及薄膜电致发光器件的材料特性、应用机理和研究进展,并详细介绍了实验的技术细节。利用溶胶-凝胶法制备了ZnO薄膜,通过对其结构、表面形貌、光致发光谱及透射-吸收谱的研究,选择出制备高质量的ZnO薄膜的实验条件,并采用传统的MS器件结构和MIS器件结构构造了ZnO薄膜的发光器件,探索其电激发发光现象,且运用KEITHLEY2400和PR650光谱光度/色度计对器件进行了I-V特性及电致发光谱的测试,并对测试结果做了分析和讨论。另外,论文还通过溶胶-凝胶法制备了Cu掺杂的ZnO薄膜样品,探索了制备高质量薄膜及蓝光发射强度的实验条件。得到以下结论:(1)溶胶浓度为0.6mol/L、预热温度为200℃时、薄膜厚度为258nm、退火处理温度为500℃时制备的ZnO薄膜表面致密均匀、结晶质量较高、为六角纤锌矿结构、具有优良的光学性能;(2)在室温下通过对MS及MIS结构的ZnO薄膜发光器件施加直流电压,暗室中观察到可见光的发射;(3)绝缘层不仅起到保护器件被击穿的作用,还通过提供空穴提高了器件的发光亮度和效率;(4)适当的Cu掺杂浓度可以获得结晶质量较高的ZnO薄膜,在低温退火处理下可以得到强度较高的蓝光发射峰。
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