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第三代半导体GaN材料因其优异的性能,被广泛地应用于短波长光电子器件和高频微波器件。目前大部分的GaN器件都是在异质衬底上外延生长制作的,由于GaN材料与衬底之间存在较大的晶格失配和热失配,导致GaN器件内部存在较大的位错密度和残余应力,损害了 GaN器件的性能和使用寿命。在GaN单晶衬底上同质外延生长制备GaN器件是解决该问题的根本方法。氢化物气相外延法(Hydride Vapor Phase Epitaxy,HVPE)被认为是最具有潜力的生长GaN晶体的方法。目前大部分GaN器件都是c向生长的,