NdNbO₄陶瓷作为一种潜在的多功能材料在近年来引起了人们广泛的关注。本文采用传统固相法合成NdNbO₄微波介质陶瓷,并通过Rietveld结构精修深入探究NdNbO₄陶瓷的晶体结构及内部各类化学键参量,系统研究了影响微波介电性能的本征因素,制备出一系列具有优异性能的微波介质陶瓷。1.对纯相NdNbO₄陶瓷进行结构解析,结果表明NdNbO₄陶瓷属于单斜晶系,空间群为I12/c,晶胞参数为:a=4.7022?,b=17.0801?,c=5.0683?,β=94.47°,V=317.31?³;基于复杂的化学键理论,从理论上计算了NdNbO₄陶瓷各类化学键参量的性质,建立化学键参量（离子性、晶格能及键能）与微波介电性能（介电常数、Q×f值及温度系数）之间的联系。2.利用不同的等价三价稀土离子(Y³⁺,La³⁺,Ce³⁺,Sm³⁺,Gd³⁺,Dy³⁺,Ho³⁺,Er³⁺,Yb³⁺)对NdNbO₄陶瓷的Nd位进行置换,系统研究了不同三价离子对(Nd_1-xA_x)NbO₄陶瓷结构与性能的影响,研究表明当Y³⁺离子取代含量为0.08mol,(Nd_0.92Y_0.08)NbO₄陶瓷具有最大的Q×f值81100GHz;当La³⁺离子取代含量为0.06mol时,(Nd_0.94La_0.06)NbO₄陶瓷的谐振频率温度系数为0 ppm/^℃。3.利用五价离子置换制备Nd(Nb_1-xB_x)O₄(B=Ta⁵⁺、Sb⁵⁺)陶瓷,并重点研究了置换后样品的晶体结构、化学键性质和微波介电性能,研究表明,Ta⁵⁺、Sb⁵⁺离子置换后,样品内部的晶格能将会提升,但Nb位化学键能将会减弱,从而导致NdNbO₄陶瓷Q×f值增大,稳定性变差。4.利用Al₂O₃,Li F,MgF₂,Li₂WO₄作为烧结助剂实现NdNbO₄陶瓷的低温烧结,系统研究了掺杂后样品的烧结特性,结构特征及微波介电性能的变化。研究结果表明适量Al₂O₃和Li₂WO₄掺杂有利于NdNbO₄陶瓷的烧结行为,1150^℃烧结NdNbO₄-3 wt.%Al₂O₃陶瓷具有最佳的介电性能:ε_r=18.10,Q×f=54700 GHz和t_f=-0.51ppm/^℃;1050 ^℃下烧结NdNbO₄-2wt.%Li₂WO₄陶瓷获得最佳的性能:ε_r=16.72,Q×f=21820GHz,t_f=-35.90ppm/^℃。