卤化铅钙钛矿中铅的毒性问题对生态环境和人类健康造成潜在危害,这引起了世界各国的广泛关注。因此,寻找稳定的、光电效能高的无铅钙钛矿替代品是非常有必要的。无铅双钙钛矿Cs₂AgInCl₆因其稳定性好、载流子寿命长、易于加工并具有直接带隙等优点被认为是非常有潜力的替代材料。但Cs₂AgInCl₆目前还存在以下几点问题:受到奇偶禁戒跃迁的限制,发光效率不够高;其激发光源都得选用紫外光源或者激发能量更高的光源,不利于未来的应用与发展;发射线太宽,无法在显示器件领域得到应用;稳定性还不足以达到实际商业应用水平。本文探讨了利用SiO₂对Cs₂AgInCl₆进行结构调整,以此方式来提高其发光强度和稳定性,制备Cs₂K_xAg_0.6Na_0.4In_0.8Bi_0.2Cl₆Br_x和Cs₂K_xAg_0.6Na_0.4In_0.8Bi_0.2Cl₆I_x微晶,实现了橘色和红色的纯色光发射。具体内容如下:1、为了提高Cs₂AgInCl₆的发射强度和稳定性,利用SiO₂对Cs₂AgInCl₆进行结构调整。SiO₂改变了Cs₂AgInCl₆的生长方式和晶体形貌,从八面体变成截塔八面体。结构改变后,晶胞分散,突破吸收极限,SiO₂还钝化了材料表面,形成抗氧化保护膜。因此,光致发光的发射强度提高了181.5%,稳定性提高了83.11%。此外,还发现了Cs₂AgInCl₆在低温下（20 K）的一种新的双发射现象(λ_ex=365 nm:λ_em≈580 nm;λ_ex=325 nm:λ_em≈505 nm);这一现象解释了Cs₂AgInCl₆在室温下400-450 nm的肩状发射问题,阐明了其发光机理。2、在Na⁺和Bi³⁺掺杂使Cs₂AgInCl₆的PLQY提升至86%基础上进一步发展了Cs₂K_xAg_0.6Na_0.4In_0.8Bi_0.2Cl₆Br_x微晶,并实现了低温下蓝光激发以及窄谱发射。通过测量拟合随温度变化的发射峰强度、峰值能量、半高宽变化以及PLE和荧光寿命,系统的研究了其蓝光激发的本质。K⁺和Br^-掺杂后形成了过渡性的非局域化施主能级,从而改变了激子激发与跃迁过程。3、Cs₂Ag_0.6Na_0.4In_0.8Bi_0.2Cl₆/xKBr和Cs₂Ag_0.6Na_0.4In_0.8Bi_0.2Cl₆/x KI微晶以固相压制的方法合成。新开发的材料可以在室温下蓝光激发,发射橘色和红色的纯色光。通过拟合变温PL,研究了KBr和KI两种掺杂类型在发射上的本质区别。纯色发光有望极大的推动无铅钙钛矿在显示器件领域中的研究进展。