【摘 要】
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近年来,性能更加优良的固态功率器件正在逐步地取代电子真空器件,成为电子对抗、通信、雷达等系统中的大功率发射源。为此,基于MMIC PA的固态高功率合成技术也日益成为微波毫
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近年来,性能更加优良的固态功率器件正在逐步地取代电子真空器件,成为电子对抗、通信、雷达等系统中的大功率发射源。为此,基于MMIC PA的固态高功率合成技术也日益成为微波毫米波领域的研究热点。如何在兼顾波导结构的高功率容量的条件下,保持较高的合成效率和较宽的工作带宽是实现微波固态宽带高功率合成的关键技术难题,也是本文研究的重点内容。本文的主要成果有:1、首先对固态功率合成的基本原理和主要技术做了简单介绍。同时,分析了电路损耗、幅相的不一致性对功率合成效率的影响,为实现高效率的宽带功率合成技术的研究奠定了理论基础。2、在简要分析了脊波导和四端口器件魔T的理论基础上,设计了一款基于双脊波导的宽带魔T。电磁仿真结果表明,在8-18GHz频段范围内,它的输入端口的回波损耗优于15dB,E、H臂之间的隔离度大于48dB,直通臂之间的隔离度大于15dB,最大插损小于0.13dB。3、提出了一种采用脊波导和同轴线相结合,实现宽带径向功率合成的技术方案。在该方案指导下,设计并制作了2-6GHz、6-18GHz两款宽带功率合成网络,这两款宽带功率合成器它们的同轴输入端都可直接与标准同轴测试接头相连,输出端通过宽带脊波导到微带线的转换,都可直接与PA芯片连接,完成对信号功率的放大。实物测试结果表明:对2-6GHz八路功率合成器,在工作频带内,其输入端口回波损耗大于15dB,插入损耗小于1dB;对6-18GHz八路功率合成器,其实际实现了在4-19GHz内,插入损耗基本小于2dB,输入端口回波损耗大于10dB,仿真和实物的带宽都得到了极大的拓展。
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