航天器在轨服役期间受到空间高能带电粒子辐照环境的影响,会导致内部的电子元器件出现异常或失灵。空间高能带电粒子包括辐射带质子和电子、太阳宇宙线质子及银河宇宙线粒子,这些高能带电粒子会造成电子元器件的总剂量效应损伤。电子元器件的总剂量效应损伤包括电离效应与位移效应损伤,且MOS型器件对电离辐射效应较为敏感。因此深入开展CC4013器件电离辐射效应损伤,有着重要的理论及工程意义。本文针对CC4013集成电路的电离辐射效应损伤机理进行研究与分析。分别从模拟计算及地面试验两方面,开展高能带电粒子辐照效应损伤机理研究。选取不同能量的质子、电子、Br离子与Co-60作为辐射源进行辐照试验,得到CC4013集成电路电性能参数随吸收剂量的变化关系。针对不同能量、种类的辐射粒子,选用GEANT4计算程序计算每种粒子在CC4013集成电路敏感区中造成的吸收剂量。并选取单管MOSFET,对两者的辐照退化情况做了比较。比较试验数据和理论计算结果,可更好地分析CC4013器件的电离辐射效应损伤机理。辐照试验结果表明,在不同种类辐照源的条件下,随着辐照吸收剂量的增加,CC4013器件的电性能参数都有明显的退化趋势。不同种类的辐照源对CC4013器件的性能参数有着不同的影响,Co-60源与电子辐照的作用效果接近,影响程度最大;质子其次;Br离子的影响程度最小。辐照通量在所选择的范围内对器件的电性能退化规律影响不大,但相同吸收剂量下,较低辐照通量的Br离子会使P沟道阈值电压产生较大的变化量。辐照粒子能量对CC4013集成电路电性能参数的影响不同。相同吸收剂量下,较高能量的质子会使阈值电压变化程度加大;较高能量的Br离子辐照可使N沟道阈值电压达到更大的负方向飘移。