自旋电子学是近年来发展起来的微电子学和磁学的交叉学科,它的研究主题是操作和利用电子的自旋自由度作为信息存储和传输的载体。自旋电子学器件需要一个有效的自旋注入到传统的半导体中,最近人们比较感兴趣的是利用自旋相关的输运现象-自旋轨道耦合来产生自旋极化。本文研究了半导体二维电子气在一个铁磁条和Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合共同作用下的自旋输运性质。铁磁条的磁化方向沿着电子输运方向,在二维电子气内形成一个非均匀的可以简化为双δ磁势垒的磁场。新加坡的Jiang和Jialil小组研究了Rashba耦合对体系自旋输运的影响,并预言当磁场反向时体系存在磁导现象,并且他们得到了接近90%的自旋极化率。我们的计算结果显示在仅有磁场的情况下,不会产生任何的自旋翻转,即没有自旋极化。当考虑了自旋轨道耦合后会产生一定的自旋极化。在低能区,自旋极化的大小和方向可以由Rashba自旋耦合强度,Dressalhaus自旋耦合强度以及磁场强度来调节。在现行的实验参数下注入完全非极化的电子束时,系统只有在低能区的自旋极化非常明显但不会超过30%。并不存在他们所预言的磁导现象和接近90%的自旋极化率。我们在研究中发现他们错误地把自旋纯态输入当成了自旋混合态输入。