层状钙钛矿型Bi<,4>Ti<,3>O<,12>铁电薄膜的择优取向生长与回线动力学标度

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【摘要】

：

层状钙钛矿型铁电体Bi4Ti3O12的居里温度高,自发极化大，Ps靠近α轴。稀土掺杂的Bi4Ti3Oi2薄膜在金属电极上耐疲劳,是实现铁电存储器应用的最佳材料之一。人们希望能制备沿α轴(或近α轴)均匀取向生长(取向度超过95%)的Bi4Ti3Oi2基铁电薄膜,以便获得大的剩余极化。同时,为满足铁电存储器实用要求,很有必要直接在金属电极上取向生长铁电薄膜。但是实验证明,要求钙钛矿型铁电薄膜在金属电极

【作者】

：

李超

【机构】

：

青岛大学

【发表日期】

：

2010年04期

【关键词】

：

Bi4Ti3O12 薄膜原位外电场诱导取向生长铁电体回线动力学标度

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