论文由四部分组成,分别为引言、原理、蒙特卡罗方法及MCNP程序介绍、模型建立和数据分析。第一部分引言介绍了有机半导体的发展历史、国内外研究现状和本研究工作。第二部分原理是文章的第2、3章,首先介绍了γ(X)射线与物质相互作用的机制;其次是有关剂量增强方面的内容,包括剂量增强效应的引发机制及剂量增强系数DEF。第三部分主要介绍了蒙特卡罗方法和MCNP程序,主要介绍了粒子输运问题及MCNP程序减小方差的技巧。第四部分模型建立和数据分析是文章的第5、6章,是论文的重点部分,主要介绍了物理几何模型的建立和模拟计算过程,对计算结果进行作图处理和数据分析。影响剂量增强效应的因素主要有:界面材料种类、材料尺寸、X射线辐照方向和材料的种类。本文利用MCNP程序分别计算了X射线在不同厚度的金和不同辐照方向的情况下,X射线对金-酞菁铜(CuPc)界面附近剂量分布的影响。通过蒙特卡罗模拟计算,给出了金的厚度分别为0.5、1、2、4、8、10、12、16、30μm的剂量增强系数(DEF)随X射线能量和方向的变化曲线,对有机半导体器件抗辐射加固具有很好的技术指导作用。此外,本文还利用MCNP程序模拟计算在保持γ射线探测器和中子发生器之间的距离不变时,增加中子发生器和γ射线探测器之间铅的厚度,以减少本底干扰的影响,优化屏蔽设计,提高探测效率,对含碳氢物质的中子元素分析有很好的指导意义。