SnO2低辐射薄膜的制备与光电性能研究

来源 :哈尔滨工业大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xiaoshen1984
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随着能源危机日益加重,具有节能减排应用的低辐射玻璃研究成为热点。其可以在保证建筑玻璃采光性能的前提下,反射掉大部分太阳光及室内热源发射出的红外线,阻止热量散失,降低建筑物能源消耗。目前应用的低辐射薄膜以金属银膜为主,其普遍存在薄膜机械性能较差、反射可见光、制备成本高等缺点。近年来,采用超声喷雾热解制备SnO2薄膜克服了传统银膜的缺点,具有优异的光学性能和机械物理性能,但也存在反射率偏低和反射起始波长过大的问题,而且薄膜中结构缺陷对反射率的影响机制也尚不清楚。探索合理的SnO2薄膜的喷雾热解制备工艺及进行SnO2薄膜改性研究工作及是解决这些问题的关键。本文采用超声喷雾热解方法在玻璃基体上制备了SnO2薄膜及氟、锑、硼和锂掺杂SnO2薄膜,利用X射线衍射、红外光谱、分光光度计和霍尔效应等测试手段,系统研究了制备工艺和掺杂元素种类和浓度对薄膜的结构和光电性能的影响规律,揭示了掺杂离子在SnO2晶格中的占位机制。超声喷雾热解方法制备SnO2薄膜的沉积过程的研究表明,对于水性溶液,液滴的挥发速率和先析出固体壳层的渗透性决定了液滴的形成过程:液滴挥发速率大易形成空心球粒子,液滴挥发速率小易形成泡状结构;壳层渗透性好时,形成破碎空心球粒子,而壳层渗透性差时形成球形微粒。超声喷雾热解方法制备SnO2薄膜的工艺研究表明,基体温度在350℃时,SnO2薄膜均匀致密,表面光滑。基体温度过低和过高分别造成薄膜表面形成颗粒堆积和龟裂;薄膜厚度增加,电阻率下降,薄膜厚度大于1.1μm时,薄膜厚度对电学性能影响减小;当载气流量和雾化速率的比值为4:1时,薄膜均匀致密,光学性能优异;氟掺杂SnO2薄膜的研究表明,当溶液中氟锡原子比小于0.75时,氟离子进入晶格中优先占据O-Sn-O基团中氧位造成O-Sn-O基团振动劈裂,形成FO′缺陷并释放出自由电子,导致薄膜中载流子浓度增大;当溶液中氟锡原子比大于0.75时,氟离子填充晶格间隙位置形成间隙氟,造成薄膜中载流子浓度降低。以SnCl2和SnCl4为锡前驱物制备的SnO2:F薄膜的研究表明,氟掺杂的SnO2薄膜中依然存在氧空位,掺杂浓度增加,氧空位浓度降低,氟离子置换氧离子造成的FO·缺陷逐渐成为载流子的施主;以氢氟酸和氟化铵为氟前驱体制备SnO2:F薄膜时,氟掺杂浓度对氟离子在SnO2晶格中固溶行为和光电性能的影响规律类似。氟等量掺杂时,以氢氟酸为氟前驱物制备的薄膜的反射率较低,说明氢氟酸活性较差。锑掺杂的SnO2薄膜的研究表明,当溶液中锑锡原子比小于2.0%时,进入到SnO2晶格中的锑离子取代锡离子并表现为+5价态,形成施主缺陷,从而造成薄膜的自由载流子浓度增大;当锑锡原子比大于2.0%时,锑离子以+3价态形式置换锡离子,造成O-Sn-O基团振动的劈裂并形成受主缺陷,导致薄膜的自由载流子浓度降低;硼掺杂的SnO2薄膜的研究表明,当溶液中硼锡原子比较低时,硼离子易填充SnO2晶格间隙处形成间隙硼(Bi′′′),薄膜中载流子浓度上升,但当硼锡原子比为4.0%时,在晶格中造成大量缺陷,使薄膜的光电性能下降;锂掺杂的SnO2薄膜的研究表明,锂离子取代晶格中锡位置造成薄膜中载流子浓度降低,薄膜的光反射特性消失。
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