金刚线切割技术因其具备更快的切割速度、无需研磨液、低污染的冷却剂以及优异的薄片切割能力等优势而备受关注。然而金刚线切割多晶硅在现行酸法（HNO₃/HF）制绒工艺中失效,致使其大规模应用受到阻碍。针对金刚线切割多晶硅制绒后硅片反射率偏高且切割纹难以去除等问题,本文提出应用铜（Cu）代替传统贵金属（Au、Ag、Pt）辅助化学刻蚀,对金刚线切割多晶硅表面进行制绒处理。研究酸性湿法预处理对金属铜辅助化学刻蚀制绒金刚线切割多晶硅的影响。探究了硝酸铜浓度、双氧水浓度以及温度对刻蚀倒金字塔形貌的影响和作用机理;研究了不同的铜盐溶液刻蚀体系、铜盐浓度等对金刚线切割多晶硅表面制绒的影响规律。主要研究结论如下:（1）对比硅纳米线和倒金字塔结构性能发现,倒金字塔结构在减反射和少子寿命方面性能都比较突出,通过金属铜催化刻蚀形成的小表面积倒金字塔,不仅减反效果优越、去除切割纹明显,且形成的小表面积倒金字塔可以更完美地融合表面低反射率和钝化不佳之间的矛盾。（2）在条件为HF-H₂O₂-Cu（NO₃）₂=5.6M:3.0M:0.05M金属铜辅助化学刻蚀制绒15 min后,金刚线切割多晶硅表面形成的倒金字塔形貌最规则均匀,且倒金字塔结构边长为0.8¹.2μm,深度1²μm。在300¹100 nm波段范围内,反射率由原片的41.8%降低至5.8%,表面粗糙程度减小。在后期硅片处理中,金属铜易去除,不易残留在硅片中形成杂质和新的复合中心,相较于金属银辅助化学刻蚀,制绒成本更低。（3）通过调控金属铜盐种类以及浓度,能够实现硅片表面不同纳米结构（倒金字塔、网格状、凹坑状）的可控制备;相比而言,在三种硅纳米结构中,倒金字塔结构在减反效果改善（在300¹100nm波长范围内降低至5.4%）、去除平行切割纹以及表面刻蚀均匀性等方面表现出更优异的性能。（4）在加入氧化剂（H₂O₂）的三种沉积体系中,随着H₂SO₄、HCl和HNO₃浓度增加,单晶硅表面所沉积的Cu纳米颗粒含量都呈降低趋势。而未加入氧化剂（H₂O₂）的三种沉积体系,硅片表面沉积的Cu颗粒变化并不明显。这可能是铜盐与双氧水共同影响了铜纳米颗粒在硅片表面中的沉积,致使在制绒过程中硅片刻蚀形貌的不同。