该文采用直流磁控溅射、射频(rf)溅射和射频磁控溅射的方法制备了氮化碳(CNx)薄膜,并研究了氮化碳薄膜的微观结构和光学性质.用rf溅射制备的膜含N量较高,在30~40at.%之间,但生长速度较慢;而rf磁控溅射的膜淀积快,但含N较低,在16~25at.%之间.SEM研究发现膜中存在着约100nm的含~50at.%N的富氮微粒.透射电镜研究(TEM)和透射电子衍射(TED)实验则表明了膜中β-C<,3>N<,4>和石墨的微晶的存在.振动光谱(IR和Raman)观察到膜中C和N有多种键合方式:单键、双键和参键以及首次确认到的C、N的累积双键.通过X光电子能谱(XPS)测量C、N原子的1s电子结合能,分析了不同成键状态原子的结合能和各自含量:40~50% sp<2>C:285.2±0.2eV;30~40% sp<3>C:287.2±0.3eV;10%N(C-N/C≡N)399.0±0.1eV;6~8%N(C=N)400.1±0.7eV.CNx膜中C-N单键有利于β-C<,3>N<,4>的形成,C=N/C=C双键则导致以sp<2>结合的类石墨结构的形成,C≡N参键则饱和了C原子的悬挂键,而累积双键通过各种微结构有机的连接起来而提高了膜的连续性.UV-VIS波段吸收谱显示出膜的非晶吸收的特征,典型光学带隙为~1.0eV.膜的室温光荧光效应很低.