【摘 要】
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随着晶体生长技术的进步和半导体器件尺度的不断缩小,介观器件越来越受到研究者的关注。近年来,人们对半导体异质结量子阱中的量子隧穿现象进行了大量的研究,例如GaAs / Alx
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随着晶体生长技术的进步和半导体器件尺度的不断缩小,介观器件越来越受到研究者的关注。近年来,人们对半导体异质结量子阱中的量子隧穿现象进行了大量的研究,例如GaAs / Alx Ga1-xAs型双势垒。研究表明非弹性散射对于这些器件中电子的输运性质具有重要影响,因此近年来越来越受到研究者的重视。本文选择使用传输矩阵方法来研究声子辅助隧穿对双势垒隧穿的透射率的影响,我们建立的理论模型是在双势垒的势阱中间位置存在声子散射。首先在电子—声子相互作用界面处利用积分薛定谔方程得到界面两边波函数的系数的递推关系,并利用该递推关系详细推导了所需的传输矩阵。最后我们分别作出了共振隧穿和声子辅助隧穿的透射几率随能量变化的函数图像,并做了理论分析与总结。
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