采用射频磁控溅射和射频反应性磁控溅射两种方法制备了硼碳氮薄膜。利用X-射线光电子能谱、傅立叶变换红外光谱(FTIR)、拉曼光谱、X-射线衍射分析(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见-近红外光谱、硬度测试等多种方法对硼碳氮薄膜进行了分析和表征。首次系统地研究了各个沉积参数对硼碳氮薄膜的组分和厚度的影响,其中主要有气体分压比、基底温度、总气压、射频功率、基底偏压等对硼碳氮薄膜的影响。首次系统地研究了硼碳氮薄膜的电阻率。研究表明,氮气分压比、基底偏压、射频功率、沉积时间对硼碳氮薄膜的电阻率都有影响。在超高真空条件下测量了硼碳氮薄膜的场发射特性。研究了硼碳氮薄膜的光透射性质。表明射频磁控溅射方法制备的硼碳氮薄膜的透射率较好。通过优化实验参数,成功地制备了内应力较低、硬度较高的硼碳氮薄膜,为硼碳氮薄膜的实际应用提供了前提条件。