进入二十一世纪,信息通讯高速发展,对于高传输速率大带宽的需求日益迫切,这不仅需要信息传输协议的不断优化,而且需要新型材料制备的新型硬件来满足这一发展需求。氮化铝（AlN）作为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,除了具有耐高温、声波速率高、禁带宽度宽等优点,还具有强的压电极化效应,可用于制备声表面波器件,应用于5G通信。此外,向AlN薄膜内掺入Sc元素,其压电极化系数可进一步提高,从而提高工作频率,以便应用于微波大功率器件。目前有多种制备AlN薄膜的方法,其中磁控溅射技术具有工艺流程简单、生长成本较低等优点,拥有巨大的商用发展潜力,因此本文主要研究磁控溅射方法沉积AlN和Al Sc N薄膜的条件及制得材料的性质,主要研究成果如下:（1）围绕AlN薄膜的反应磁控溅射制备方法开展了工作气体氩氮比、直流溅射功率、衬底温度、气体压强对AlN薄膜结晶质量影响的研究。通过对不同溅射工艺参数下制备的AlN薄膜结晶质量、厚度、元素组分以及表面形貌进行分析,我们发现工作气体氩氮比影响薄膜的沉积速率及铝氮元素比例,气体压强影响溅射腔体内粒子的平均自由程,直流溅射功率影响气体的电离程度、溅射出的Al原子动能和数量,衬底温度影响沉积在薄膜表面的AlN粒子迁移。综合各种溅射工艺条件,在气体压强为2 m Torr,溅射功率为130 W,衬底温度为570℃,氩氮比为1:1.5时,AlN（0002）晶面的择优取向生长最佳,（0002）衍射峰的半高宽（FWHM）最佳为1.22°,薄膜内Al和N的原子百分比接近AlN的化学计量比,外延生长速率为3.35 nm/min,薄膜表面均方根粗糙度为1.56 nm。（2）在沉积AlN薄膜的最优溅射条件基础上,采用双靶磁控溅射工艺沉积Al Sc N薄膜,研究了Sc掺杂对AlN薄膜晶体质量的影响及压电特性的提升。首先研究了溅射时长为1 h时,Sc射频功率对Al Sc N薄膜结晶质量的影响。对溅射所得Al Sc N薄膜的晶体结构和厚度分析发现,Sc掺杂降低了薄膜结晶质量,且Sc射频功率在50W～90 W之间时,溅射所得Al Sc N薄膜结晶质量变化不大。Al Sc N薄膜主要呈现AlN（0002）衍射峰,峰的半高宽略高于AlN薄膜,最佳为1.701°。其次研究了Sc掺杂对AlN薄膜压电性能的提升,溅射时长延长至6 h,并制成SAW器件。对溅射所得Al Sc N薄膜及AlN薄膜的晶体结构、元素组分及厚度分析发现,溅射时间延长导致薄膜的结晶质量下降,薄膜内O杂质含量上升。利用矢量网络分析仪测试由AlN薄膜和Al Sc N薄膜制成的SAW器件的S₁₁传输特性,发现Sc掺杂导致AlN薄膜的声波速率略微下降,但压电系数由0.9%提升至1.2%,器件总体性能得到提升。