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本工作利用螺旋波等离子体化学气相沉积技术在高氢气条件下制备了具有紫外发光的六角晶型纳米碳化硅(nc-SiC),对这种材料进行了不同比例的磷掺杂,并对这种掺杂的纳米碳化硅的光学、电学特性以及nc-SiC/Si异质结的电学特性和光电压特性进行了研究。结合FTIR、Raman、TEM、AFM、XRD等结构表征技术对纳米碳化硅的微结构和磷掺杂的机理进行了研究,结果表明,所得到的纳米碳化硅薄膜为晶化度较高的n型6H-SiC,并且随掺杂比例增加薄膜的晶化度增加,磷掺杂的主要机理是替位掺杂;对薄膜的光吸