随着工艺技术的发展,现代VDMOS可承受的击穿电压值越来越高,常规的VDMOS结构由于极厚的外延层,因此导通电阻值随着耐压的增加而大幅增加,高压VDMOS器件为了降低导通电阻只能通过增加芯片面积的方法,但随之而来的成本的增加又是商业生产不可忽视的因素。目前国内具有优良特性的高压VDMOS产品较少,大多微电子公司选择进口国外的VDMOS器件,而随着半导体进口量超越石油成为进口量最大的商品,自主研发高压VDMOS的要求日益严峻。下面列出了高压VDMOS设计过程中需要主要考虑的器件参数及其影响因素1、雪崩击穿电压BVDSS与导通电阻值Ron:雪崩击穿电压与导通电阻值是一对对立的参数,由于器件的击穿通常发生在P-body区的拐角处或者N-飘移区的穿通击穿,为了增加器件的耐压通常的做法是降低漂移区注入剂量或者增加漂移区的材料电阻率而这会直接增加器件的导通电阻,因此在实际设计过程中,只能根据设计要求的指标对这两个参数进行仿真拉偏优化,最终选择合适漂移区参数满足击穿电压的要求的同时尽量降低器件的导通电阻值。2、VDNOS电场分布:VDMOS中的电场分布密度会影响到器件的击穿电压值,硅片厚度、硅片杂质浓度、改变硅片厚度、P基区间距、垂直扩散的结深等都会影响到器件纵向电场分布,通过改变外加偏置模拟得到VDMOS纵向电场的分布结构与分布密度,再根据设计要求调整工艺参数。3、寄生电容。影响VDMOS器件寄生电容的因素有:硅片厚度、垂直扩散时的结深和VDMOS栅源电压,本论文的主要指标之一就是寄生的栅漏电容值,这将在后续的设计过程进行详细的分析。由于VDMOS器件多用高频领域,寄生电容直接关系到器件的开关特性,为了降低器件的开关时间,减小器件的开关损耗,本文在常规VDMOS结构上做出了调整,并对该结构进行了仿真优化。本论文通过计算机工艺仿真软件Silvaco TCAD设计了1200V VDMOS及其终端结构。传统VDMOS的设计过程多是从工艺与参数的方面来对现有VDMOS器件进行优化,本文则是在模拟仿真了多个结构的基础上,选用了合适新型结构。综合优化工艺步骤和元胞参数的方法,最终设计出性能优异的1200V功率MOS。