本论文的研究方向是阴极电弧离子镀制备MgO薄膜的二次电子发射性能。目前，AC PDP(交流等离子体显示器)已成为大屏幕平板显示市场的主流产品，但是其功率过高的问题一直得不到很好的解决。由于MgO薄膜具有良好的二次电子发射性能，因此它成为AC PDP保护膜的首选材料。制备出二次电子发射系数高的MgO薄膜引起了工业界与科学研究者们的广泛关注。因此，本论文最终目的是制备出基于AC PDP应用的二次电子发射系数高的MgO薄膜。 第一章简要地介绍了MgO薄膜的材料特性及最新研究进展、本论文的研究目的与选题意义。其中主要回顾了MgO薄膜的制备方法及二次电子发射性能的研究进展。从中我们可以看出电弧离子镀制备MgO薄膜是一个全新的课题。 第二章所关注的是阴极电弧镀技术的特点及其最新进展。阴极电弧离子镀与其它气相沉积技术如电子束蒸发、磁控溅射等不同。它是基于等离子体沉积的薄膜制备技术，具有以下几个特点：靶材的离化率高(大于90﹪)、离子流密度大、沉积能量高(10～150eV)、沉积速率高、反应沉积的沉积速率快，制备出的薄膜的膜/基粘结好、致密度高。此外，由于磁过滤装置能够很好的过滤大颗粒，在近20多年获得了飞速的发展。最后，我们对本论文所采用的材料制备装置的具体情况作了介绍。 第三章详细讨论了工作气压对阴极电弧离子镀制备MgO薄膜的结构影响。我们分别用：XRD、FESEM、椭偏光测厚仪、紫外.可见光透过仪、EDS及RBS对不同工作气压下制备的MgO薄膜的结晶取向、形貌、厚度、折射率、可见光透过率及化学配比进行了表征。研究发现： 1.阴极电弧离子镀制备出的MgO薄膜具有较好的(200)及(220)择优取向，随着工作气压的降低薄膜的择优取向从(200)过渡到(220)： 2. 阴极电弧离子镀制备出的MgO薄膜具有致密度较高，在高压端薄膜的致密度随着工作气压的降低而升高，0.54Pa时制备的MgO薄膜的致密度最大，其密度与MgO晶体相同； 3. 该技术制备出的MgO薄膜的可见光透过率大于90﹪，随着薄膜致密度的增加，其光学可见光透过率升高； 4. 随着工作气压的降低，MgO薄膜的氧含量不断减少，薄膜化学配比表明薄膜成分从氧过量转变成镁过量； 第四章首先介绍了一种全新的薄膜二次电子发射系数测量装置。该装置采用电子束中和测量过程中薄膜表面的积累电荷。然后我们使用该装置测量了不同工作气压下制备的MgO薄膜的二次电子发射系数，其结果如下所示： 1.从2.33Pa至0.16Pa，随着工作气压的降低薄膜的二次电子发射系数增大； 2.在0.12Pa下制备的MgO薄膜的二次电子发射系数较0.16Pa时制备的MgO薄膜的二次电子发射系数低，而且随着激发离子的入射动能增大，两个样品的二次电子发射系数的差值增大； 3. 阴极电弧离子镀制备MgO薄膜的二次电子发射系数最高达0.78(250eV、Ne<+>)，这远大于基于MgO晶体的理论计算值。 结合以上所有结果，我们可以看出电弧离子镀技术能够制备出具有二次电子发射系数高的MgO薄膜。同时二次电子发射性能受薄膜的致密度及化学配比影响。通过引入适当浓度的氧空位能够提高MgO薄膜材料的二次电子发射系数。该种薄膜的二次电子发射系数有可能比理想的MgO晶体还高。