FeV2O4薄膜的制备和电磁性质研究

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尖晶石结构体系由于有丰富的物理和在实用器件方面的应用前景而受到研究人员的广泛关注。其中FeV2O4(FVO)体系因存在着电荷、轨道、自旋和晶格自由度的耦合,因而有着丰富的相图和有趣的物理现象,如自旋受挫、多铁、轨道有序和磁致伸缩等。另外,由于各个自由度间的强烈耦合,可以预见FVO物理性质极易受到如外延应力等外加作用的调控。因此,研究基于FVO的异质外延体系中的结构-性能关系会对理解尖晶石结构性质和和相关电子器件的实现提供重要线索。本文主要研究SrTiO3、LaAlO3和MgAl2O4基片上制备的(001)和(110)取向FVO薄膜的结构和电磁性质。首先探索不同制备条件下FVO薄膜的结构和形貌特征。我们发现FVO(001)薄膜是稳定的四方结构(c>a=b),薄膜表面呈现出自组装的矩形颗粒;而FVO(110)薄膜是单斜结构,表面形貌因制备条件不同从点状到条纹状变化,条纹沿着面内?110?方向。然后我们研究了FVO薄膜的磁阻特性和磁各向异性,我们发现磁阻也受薄膜应力影响。在FVO(001)薄膜中,其机制主要受反相边界主导,呈现负磁阻。在FVO(110)薄膜中,我们通过控制制备条件实现了磁阻从负到正的调控。此外,由于FVO薄膜的结构完全偏离立方晶系,使其具有明显的磁各向异性。FVO(001)薄膜因其突出的四方结构,导致易磁化轴固定在拉伸的c方向。FVO(110)薄膜的磁各向异性受磁晶各向异性、应力各向异性和形状各向异性的综合作用,在不同基片上呈现出不同的性质。最后研究了FVO薄膜的磁相变过程。我们发现薄膜中有一个顺磁到亚铁磁的磁相变T1,该相变温度与薄膜所受内应力相关。另外,还有一个和短程有序相关的微弱磁相变T2,该相变易被磁场抑制。
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