一维（1D）纳米材料由于具备优异的物理和化学性质,一直被认为是纳米电子学的重要构建框架。而在众多的一维纳米材料制备方法中,静电纺丝技术被认为是最简单有效的方法。与此同时,场效应晶体管（FET）因为其简单的结构、优异的性能,被广泛的应用于平板显示技术之中。而金属氧化物（MO）半导体材料也凭借其自身高的迁移率、高的可见光透过率以及优异的电学稳定性成为新型平板显示领域的主要研究对象。在目前开发的金属氧化物半导体中,铟基氧化物,虽然能够作为高性能电子器件的导电通道元件被广泛的研究。然而,由于铟元素在自然界中含量较低,价格昂贵,而且有毒性,促使科学界和工业界寻找无铟材料的替代物。而锌锡元素由于含量大,价格低廉,无毒等特性成为了最有前途的无铟半导体产品之一。因此,本研究将围绕静电纺丝技术制备的ZnSnO金属氧化物纳米纤维场效应晶体管（FET）的制备及性能展开。首先,利用静电纺丝技术制备出高质量的ZnSnO纳米纤维,并通过调节Zn_xSn_1-xO（x=0,0.1,0.3,0.5,0.7,0.9,1）中Zn、Sn的不同摩尔比,系统研究了前驱体中Zn、Sn元素摩尔比对纳米纤维物理、化学、电学性能的影响。其次,将最佳的摩尔比Zn_0.3Sn_0.7O纳米纤维网络（NFNs）集成到以高介电常数（κ）ZrO_x为介电层的FET中,其场效应迁移率为7.8 cm² V^-1 s^-1,亚阈值摆幅为80 mV dec^-1,开关比达到10⁷。最后,为证实Zn_0.3Sn_0.7O NFNs/ZrO_x FET在复杂逻辑电路的潜在应用,将制备的FET引入到电阻负载反相器中,在4 V电压下反相器增益达到11。另外,为了进一步研究不同退火条件（退火温度,退火氛围）对ZnSnO（Zn:Sn=3:7）纳米纤维的影响,分别在氧气和空气氛围下对ZnSnO纳米纤维进行了400、450、500、550 ^oC电学测试。结果显示,在氧气氛围下退火的ZnSnO纳米纤维相较于在大气环境下退火的ZnSnO纳米纤维,不仅电学性能显著提高,还能增强FET的操作稳定性。并将500 ^oC氧气氛围下退火的ZnSnO纳米纤维被集成到ZrO_x FET中,其迁移率可以达到21 cm² V^-11 s^-1,开关比达到¹0⁸。该系列的结果证明了ZnSnO纳米纤维的电学性能能够通过调控前驱体溶液中的化学计量比及退火条件进行优化并在未来纳米电子器件及其相关应用上表现了巨大潜力。