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复合结构纳米材料由于其独特的化学和物理特性以及广泛的应用前景,继半导体掺杂、改形等技术,成为研究的热点。氮化镓（GaN）和氮化铟（InN）属III-V族半导体材料,在实验上已能成功合成GaN和InN纳米线,二者具备相同的晶体结构及相近的晶格参数,为我们制备InN包覆GaN纳米线复合结构提供了理论支持,本文从理论计算和实验制备两方面研究InN包覆GaN纳米线异质核壳复合结构。理论上,采用密度泛函理论（DFT）研究InN包覆GaN纳米线异质复合核壳结构的电子结构及功函数（WF）。结果表明:InN包覆GaN纳米线,修饰了GaN纳米线的电子结构,禁带宽度显著减小,导带向低能方向移动;导带底部局域电子态主要是由In原子引进;大量局域电荷分布在核壳界面In原子周围,这是由于界面载流子不平衡,发生电子迁移,形成空间电荷区。InN包覆GaN纳米线复合结构的功函数相比于纯GaN纳米线减小。实验上,基于化学气相沉积（CVD）,用两步生长法,首先,基于VLS机制制备了GaN纳米线,然后,基于VS机制,以GaN纳米线为核,在其外包覆InN壳得到InN包覆GaN纳米线异质核壳复合结构。实验过程从选择不同的In前驱体和不同的包覆温度两方面研究样品的制备,并通过扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射（XRD）技术和元素能谱分析（EDS）对样品进行表征,结果表明:（1）最佳反应前驱体为In2O3粉末和In粉末混合物;（2）最佳包覆温度是700℃。