囚禁离子的冷却及芯片离子阱系统搭建

来源 :国防科学技术大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:Johnnywang03
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量子计算机由于在超高并行计算与量子模拟等的巨大应用潜力受到人们的广泛关注。1995年囚禁离子在理论上被证明了可以实现量子计算的所有标准步骤,并且具有相干时间长以及可扩展能力强的特点,国内外展开了对基于离子的量子计算机研究。本文介绍离子阱量子计算实验中所完成的工作以及在可扩展量子芯片技术上的一些进展,取得的成果如下:  在宏观离子阱方面,我们完成了宏观离子阱系统的搭建,并已经成功捕获了钙离子。采用多种方法对离子的微运动进行补偿,得到了离子在多普勒冷却下的温度可以达到10mK以下。在宏观离子阱中囚禁了大量的离子阱晶体证明了其强囚禁能力,并观察到离子的一阶和二阶相变现象。离子冷却理论方面,在电磁感应透明冷却的方案基础上,提出了一种用高细度光腔增强电磁感应透明冷却的方案。  表面芯片离子阱方面,在“五线阱”的设计原理基础上,设计出了具有自己特色的表面芯片离子阱,并且在理论上用数值模拟的方法证明了其可行性。完成了表面芯片离子阱加工制作,并搭建了表面芯片离子阱的测试系统,包括真空系统、成像系统、激光系统等,目前实验中已经观测到钙原子荧光信号。
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